Características: Memoria DDR4
Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
VDDQ = 1,2 V típico
VPP = 2,5 V típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
Actualización automática de bajo consumo (LPASR)
Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
Generación y calibración de VREFDQ en matriz
Rango único
EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 integrada
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
Topología de paso
Comando de control terminado y bus de direcciones
PCB: Altura 1.18” (30.00mm)
Cumple con RoHS y libre de halógenos
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